特許

J-GLOBAL ID：200903003567773471

光電変換装置用透明導電膜、及びその製造方法

発明者： 佐々木 敏明
出願人/特許権者： 株式会社カネカ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-282334
公開番号（公開出願番号）：特開2009-111183
出願日： 2007年10月30日
公開日（公表日）： 2009年05月21日
要約：

【課題】 本発明の目的は、透明導電膜の膜厚を増加せずに、低いシート抵抗と大きな凹凸を両立する光電変換装置用透明導電膜を提供することである。【解決手段】 本発明によれば、透明導電膜が下地層の上に配置された光電変換装置用透明導電膜であって、該透明導電膜が各々SIMSで測定した原子濃度の最大値として2×1019個/cm3以上のB原子、及び2×1020個/cm3以上のH原子を含む酸化亜鉛からなり、該透明導電膜は下地層側界面から所定位置のH原子濃度より下地層から遠い側の界面から所定位置のH原子濃度が低く、かつ該透明導電膜は下地層側界面から所定位置のB原子濃度より下地層から遠い側の界面から所定位置のB原子濃度が低いことによって課題を解決する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

下地層の上に配置された光電変換装置用透明導電膜であって、 該透明導電膜が各々SIMSで測定した原子濃度の最大値として2×1019個/cm3以上のB原子、及び2×1020個/cm3以上のH原子を含む酸化亜鉛からなり、該透明導電膜は下地層側界面から所定位置のH原子濃度より下地層から遠い側の界面から所定位置のH原子濃度が低く、 かつ該透明導電膜は下地層側界面から所定位置のB原子濃度より下地層から遠い側の界面から所定位置のB原子濃度が低いことを特徴とする光電変換装置用透明導電膜。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (2件)：

H01L31/04 M ,  H01L31/04 H

Fターム (8件)：

5F051CB27 ,  5F051DA15 ,  5F051FA02 ,  5F051FA13 ,  5F051FA18 ,  5F051FA22 ,  5F051GA03 ,  5F051HA07

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 光起電力素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-107049   出願人：キヤノン株式会社
• シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-050590   出願人：鐘淵化学工業株式会社

審査官引用 (1件)

• 透明電極の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-319231   出願人：株式会社トクヤマ