特許
J-GLOBAL ID：200903003570775825
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-233342
公開番号（公開出願番号）：特開平9-063989
出願日： 1995年08月18日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：
【要約】【課題】2種以上の絶縁膜から成る多層絶縁膜にコンタクトホールを開口する際、エッチングダメージを軽減するためにウェットエッチを行なってもコンタクト側面に凹凸ができず信頼性の高いコンタクト形成を可能にする。【解決手段】SiO2膜12/SiN膜4/SiO2膜2の3層膜にコンタクトホールを開口する際、最下層のSiO2膜2の途中までを異方性ドライエッチングで開口した後、コンタクトホール側面に最下層と同種のSiO2で側壁14を形成し、その後、バ ッファード弗酸でSiO2をウェットエッチングしてコンタクト面を露出させる。この時、コンタクトホール側面に凹凸が形成されないため、バリアメタルのカバレッジを損うことなくスパッタリング法で形成することができる。その後メタルプラグ、配線メタルを形成してコンタクトを完成させる。
請求項（抜粋）：
絶縁膜を複数層積層してなる多層絶縁膜に開口したコンタクトホールの側面に、前記多層絶縁膜の最下層を構成する絶縁膜の一部又は全部を除き前記多層絶縁膜を覆う絶縁膜側壁を備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/28
, H01L 21/306
, H01L 21/768
H01L 21/28 L
, H01L 21/306 D
, H01L 21/90 C
, H01L 21/90 D
