特許

J-GLOBAL ID：200903003617900143

不揮発性メモリ装置、そのプログラム方法及びパス/フェイルの検査方法

発明者： 任 興 洙
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 萩原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-213028
公開番号（公開出願番号）：特開2003-151291
出願日： 2002年07月22日
公開日（公表日）： 2003年05月23日
要約：

【要約】【課題】 データ貯蔵スピードを高め、かつコピーバック動作をより円滑に遂行することができる不揮発性メモリ装置を提供すること。【解決手段】 メモリセルアレイ、Y-ゲーティング回路、およびページバッファ122を備える。ページバッファ122はメモリセルアレイとY-ゲーティング回路との間に連結され、一群のメモリセルの各々に対応するデュアルレジスタを備える。デュアルレジスタは第1レジスタ170と、それと関連した第2レジスタ150で構成される。外部データはY-ゲーティング回路を通じて第1レジスタ170に貯蔵され、第1レジスタ170から第2レジスタ150に移される。その後、第2レジスタ150からメモリセルにデータが伝達され、同時に次の外部データがY-ゲーティング回路を通じて第1レジスタ170に貯蔵される。

請求項（抜粋）：

データを貯蔵するメモリセルのアレイと、一群のメモリセルに貯蔵されたデータを選択するY-ゲーティング回路と、感知ノードを通じて前記メモリセルアレイと前記Y-ゲーティング回路との間に連結され、前記一群のメモリセルの各々に対応する第1レジスタ及びこれに関連した第2レジスタを含むページバッファとを具備し、前記感知ノードは前記第1及び第2レジスタに共通に連結され、前記第2レジスタはメモリセルに対するデータの書き込みに用いられ、前記第1レジスタは同時に前記Y-ゲーティング回路を通じて外部データの貯蔵のために用いられることを特徴とする不揮発性メモリ装置。

IPC (4件)：

G11C 16/06 ,  G01R 31/28 ,  G11C 16/02 ,  G11C 29/00 673

FI (7件)：

G11C 29/00 673 Z ,  G11C 17/00 634 G ,  G11C 17/00 611 Z ,  G11C 17/00 634 B ,  G11C 17/00 634 Z ,  G11C 17/00 601 Z ,  G01R 31/28 B

Fターム (19件)：

2G132AA00 ,  2G132AA08 ,  2G132AB01 ,  2G132AD06 ,  2G132AL09 ,  5B025AA03 ,  5B025AB01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD04 ,  5B025AD05 ,  5B025AD06 ,  5B025AD11 ,  5B025AD16 ,  5B025AE05 ,  5B025AE09 ,  5L106AA10 ,  5L106DD00 ,  5L106EE03 ,  5L106EE04

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-323199   出願人：株式会社東芝
• 単一ビットセル及び多量ビットセル動作の同時的な遂行が可能な不揮発性半導体メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-270957   出願人：三星電子株式会社