特許
J-GLOBAL ID:200903003625458476
面発光レーザ装置及びその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
後藤 洋介 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-291128
公開番号(公開出願番号):特開平8-148755
出願日: 1994年11月25日
公開日(公表日): 1996年06月07日
要約:
【要約】【目的】 面発光レーザ装置においては,光を取り出す基板裏面からの反射光が発振器に再注入されるため,光出力-注入電流特性の非線形性(キンク)が生じてしまうので,簡単な構造かつ作製方法で,キンクを低減した面発光レーザ装置とその製造方法とそれに用いるフォトマスクとを提供することにある。【構成】 p型半導体多層膜3及びn型半導体多層膜7が面発光レーザ発振器におけるレーザ共振器の一対の反射鏡を構成している。一対の半導体多層膜の間に活性層5を配置している。一対の半導体多層膜を反射鏡とするレーザ発振器10が半導体基板11上に積層され,面発光レーザをなしている。出力光14を取り出す側である基板裏面に反射面を有する凹状構造物15が設けてある。
請求項(抜粋):
表裏をなす2面を有する半導体基板と,前記半導体基板の一面上に形成された半導体積層構造体を備え,前記半導体基板の前記一面に対向する他面からレーザ光を取り出す面発光レーザ装置において,前記他面には,前記半導体基板を透過する前記レーザ光を乱反射させるための構造物を有することを特徴とする面発光レーザ装置。
引用特許:
審査官引用 (8件)
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狭帯域化面発光レーザ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-104529
出願人:日本電気株式会社
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特開平4-221874
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特開昭62-172767
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特開昭55-164803
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特開昭59-169190
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特開平4-301625
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半導体レーザ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-072278
出願人:ローム株式会社
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特開昭59-128540
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