特許
J-GLOBAL ID：200903003657798422
半導体装置の製造装置および製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-237140
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087314
出願日： 1997年09月02日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：
【要約】【課題】 プラズマ処理中におけるプラズマの消失のない半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 時刻t1 で、エレクトロンポジティブなガスとして例えばアルゴンガスを100sccmの流量で導入すると同時に、誘導コイルに高周波電力を印加して反応室内にプラズマを生成させる。時刻t2 で、アルゴンガスの流量を徐々に減少させ始めると同時に、エレクトロンネガティブなガス例えばC2 F6 ガスを徐々に増加させながら供給する。時刻t3 で、下部電極に高周波電力を印加し、エッチングを開始する。エレクトロンネガティブなガスを導入した瞬間にエレクトロンネガティブなガスに電子が付着しても、残存しているエレクトロンポジティブなガスによって電子密度の減少が補われるので、電子密度を高く維持することができ、プラズマの消失を防止することができる。
請求項（抜粋）：
反応室内の電極上に被加工物を設置する第1の工程と、上記反応室にエレクトロンポジティブなガスを供給する第2の工程と、上記反応室内にプラズマを生成させる第3の工程と、上記反応室へのエレクトロンポジティブなガスの供給をその供給量を減少させながら停止する第4の工程と、上記エレクトロンポジティブなガスの供給を停止する前からエレクトロンネガティブなガスをその供給量を増大させながら供給する第5の工程と、上記被加工物にバイアス電圧を印加する第6の工程とを行わせるためのシーケンスを備えている半導体装置の製造装置。
IPC (3件)：
H01L 21/3065
, H05H 1/46
, C23F 4/00
H01L 21/302 A
, H05H 1/46 L
, C23F 4/00 A
