特許
J-GLOBAL ID：200903003662314174
単結晶基板の加工方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
上柳 雅誉
, 藤綱 英吉
, 須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-304660
公開番号（公開出願番号）：特開2005-074663
出願日： 2003年08月28日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
要約：
【課題】単結晶からなる材料で構成される基板に、微細で高アスペクト比の貫通孔又は非貫通孔を形成するための単結晶基板の加工方法を提供する。【解決手段】単結晶からなる材料で構成される基板1に貫通孔2を所定の経路8で形成する加工方法であって、基板1にレーザ光を照射して、所定の経路8に沿って材料を変質させて材料変質部7を形成するレーザ光照射工程(同図(b)〜(d))と、材料変質部7をエッチングして、所定の経路8で貫通孔2を形成する異方性エッチング工程(同図(e))と、を有する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
単結晶からなる材料で構成される基板に非貫通孔又は貫通孔を所定の経路で形成する加工方法であって、
前記基板にレーザ光を照射して、前記所定の経路に沿って前記材料を変質させて材料変質部を形成するレーザ光照射工程と、
前記材料変質部をエッチングして、前記所定の経路で前記非貫通孔又は前記貫通孔を形成する異方性エッチング工程と、を有することを特徴とする単結晶基板の加工方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (14件)：
3C069AA04
, 3C069BA08
, 3C069BB01
, 3C069BB04
, 3C069CA00
, 3C069EA02
, 3C069EA05
, 4E068AA01
, 4E068AF02
, 4E068CA01
, 4E068CD02
, 4E068CD03
, 4E068CE01
, 4E068DA10
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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