特許
J-GLOBAL ID:200903003666673837

プラズマ処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (7件): 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-115423
公開番号(公開出願番号):特開2005-302936
出願日: 2004年04月09日
公開日(公表日): 2005年10月27日
要約:
【課題】 試料台の異常放電による試料への汚染がなく、試料台を破損せずに、試料を高温まで加熱することができ、しかも加熱効率の優れたプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 本発明のプラズマ処理装置1は、発熱部9をヒータケース12の内部に配設された導電性の炭化珪素(SiC)焼結体の発熱体素子13と、この発熱体素子13の下面に石英製のスペーサー14aを介して設けられたシリコン(Si)または炭化珪素(SiC)焼結体の第1の熱反射板15と、この第1の熱反射板15の下面に石英製のスペーサー14bを介して設けられたシリコン(Si)または炭化珪素(SiC)焼結体の第2の熱反射板16とにより構成したことを特徴とする。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
チャンバーと、該チャンバーに設けられ該チャンバー内にプラズマを発生させるプラズマ発生部と、前記チャンバー内且つ前記プラズマ発生部に対向配置され、上面を板状試料を載置する面とする試料台とを備えたプラズマ処理装置であって、 前記試料台は、導電性の炭化珪素(SiC)焼結体からなる発熱体素子と、この発熱体素子に電気的に接続されて電力を前記発熱体素子に供給する導電性の炭化珪素(SiC)焼結体からなる給電用端子と、前記発熱体素子の下方または前記発熱体素子の下方および側方に設けられ前記発熱体素子から放射される放射熱を反射するシリコン(Si)または炭化珪素(SiC)焼結体からなる反射板と、 を備えてなることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (2件):
H01L21/31 ,  H01L21/3065
FI (2件):
H01L21/31 C ,  H01L21/302 101G
Fターム (12件):
5F004BB14 ,  5F004BB26 ,  5F004BB29 ,  5F004BB31 ,  5F004DA25 ,  5F045AA09 ,  5F045AD12 ,  5F045DP02 ,  5F045EC05 ,  5F045EK07 ,  5F045EK09 ,  5F045EM02
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 特公平6-28258号公報
審査官引用 (4件)
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