特許
J-GLOBAL ID：200903003680072633
半導体基材の製造方法、および太陽電池の製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-350132
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189924
出願日： 1996年12月27日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：
【要約】【課題】 半導体基材の結晶の高性能化と低コストの両立が困難。高効率で低コストかつフレキシブルな形態の太陽電池の作製が困難。【解決手段】 基体201表面に多孔質層202を形成する工程(イ)、高温の還元性雰囲気のもとで、成長させる半導体を構成する元素を過飽和状態まで溶解した溶液に多孔質層202を浸漬し、多孔質層202表面に結晶質の半導体層203を成長させる工程(ロ)、多孔質層202及び半導体層203が形成された基体201表面に、基体205を接着する工程(ハ)、多孔質層202を介して基体201と基体205とを分離する工程(ニ)、を有する。工程(ロ)の代わりに、成長させる半導体を構成する元素を一定濃度まで溶解した溶液に、その表面温度を前記濃度の溶液が飽和となる温度より低くした多孔質層202を浸漬して、多孔質層202表面に半導体層203を成長させる工程を用いる。
請求項（抜粋）：
少なくとも、次の工程(イ)〜(ニ)を有することを特徴とする半導体基材の製造方法。(イ) 第1の基体の表面に多孔質層を形成する工程(ロ) 高温の還元性雰囲気のもとで、成長させる半導体を構成する元素を過飽和状態まで溶解した溶液に前記多孔質層を浸漬し、前記多孔質層表面に半導体層を成長させる工程(ハ) 少なくとも前記多孔質層及び前記半導体層が形成された第1の基体の表面に、第2の基体を接着する工程(ニ) 前記多孔質層を介して前記第1の基体と前記第2の基体とを分離して、前記半導体層を前記第1の基体より剥離して前記第2の基体に転写する工程
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/12 B
, H01L 31/04 X
