半導体発光素子及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-242914
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326360
出願日： 1993年09月29日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：

【要約】【目的】耐湿性に優れ、高出力特性を備えた半導体発光素子及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】光取り出し面側にAlを含む結晶層15を備えた当該半導体発光素子の発光層となるInGaAlP系混晶層12、13、14、及び15と、結晶層15上に積層されたモル比50%以下のAlを含むまたはAlを含まないIII-V族結晶層16とを有して構成された半導体発光素子。尚、モル比50%以下のAlを含むまたはAlを含まないIII-V族結晶層16は、有機金属気相成長法により他の各層と連続して形成される。

請求項（抜粋）：

光取り出し面側にモル比60%以上の高Alで組成される結晶層を備えた半導体発光素子で、前記高Al結晶層上にモル比50%以下のAlを有する導電性の結晶、またはAlを含まない導電性の結晶を形成したことを特徴とする半導体発光素子。

引用特許：

審査官引用 (3件)

発光ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-211229 出願人：株式会社日立製作所
分散型EL及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-165242 出願人：グンゼ株式会社
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-351646 出願人：株式会社東芝

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