特許
J-GLOBAL ID:200903003711454106
ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件):
小栗 昌平
, 本多 弘徳
, 市川 利光
, 高松 猛
, 濱田 百合子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-430595
公開番号(公開出願番号):特開2005-189501
出願日: 2003年12月25日
公開日(公表日): 2005年07月14日
要約:
【課題】 250nm以下、特にF2エキシマレーザー光(157nm)の露光光源の使用に好適な化学増幅型レジスト組成物、より具体的には157nmの光源使用時の感度、溶解コントラストに優れており、尚且つ、現像欠陥、疎密依存性が改良された化学増幅型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】(A)フッ素原子を有し、酸の作用により分解しアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、及び(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、を含有する組成物であって、上記化合物(B)が酸の作用により分解する基(酸分解性基)を有していることを特徴とするポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
(A)フッ素原子を有し、酸の作用により分解しアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、及び、
(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物
を含有する組成物であって、当該化合物(B)が酸の作用により分解する基を有していることを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (6件):
G03F7/004
, C08F12/22
, C08F16/26
, C08F32/00
, G03F7/039
, H01L21/027
FI (6件):
G03F7/004 503A
, C08F12/22
, C08F16/26
, C08F32/00
, G03F7/039 601
, H01L21/30 502R
Fターム (35件):
2H025AA01
, 2H025AA02
, 2H025AA03
, 2H025AA04
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE07
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB08
, 2H025CB14
, 2H025CB16
, 2H025CB41
, 2H025CB45
, 2H025FA17
, 4J100AB07P
, 4J100AB10P
, 4J100AE09P
, 4J100AR09P
, 4J100AR11P
, 4J100BA03P
, 4J100BA04P
, 4J100BA16P
, 4J100BA20P
, 4J100BB07P
, 4J100BC07P
, 4J100BC08P
, 4J100BC12P
, 4J100CA01
, 4J100CA03
, 4J100JA37
, 4J100JA38
引用特許:
前のページに戻る