特許
J-GLOBAL ID：200903003726510843

不揮発性多値半導体メモリ

発明者：
河村 祥一

河村 祥一 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 古谷 史旺
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-062915
公開番号（公開出願番号）：特開2003-263897
出願日： 2002年03月08日
公開日（公表日）： 2003年09月19日
要約：
【要約】【課題】 不揮発性多値半導体メモリの動作マージンを確保し、製造歩留を向上する。【解決手段】 第1および第2記憶部は、不揮発性の多値メモリセルの参照電圧および検証電圧を生成するための参照値および検証値を記憶する。参照電圧生成回路は、第1および第2記憶部に記憶された参照値および検証値に応じて参照電圧および検証電圧を生成する。第1および第2記憶部が書き換え可能であるため、製造プロセスの変動により変化するメモリセルの特性に応じて、半導体メモリの製造後に参照電圧および検証電圧を設定できる。また、参照電圧および検証電圧を算出するプログラム試験回路によっても、半導体メモリの製造後に参照電圧および検証電圧を設定できる。この結果、メモリセルからのデータの読み出しマージンを向上でき、製造歩留を向上できる。
請求項（抜粋）：
電気的に書き換え可能な不揮発性の多値メモリセルと、書き込みデータの論理に応じて前記各メモリセルの閾値電圧を変更するために、複数のプログラム電圧を生成するプログラム電圧生成回路と、前記メモリセルの閾値電圧を判定するための複数の参照電圧にそれぞれ対応する複数の参照値を記憶するとともに、該参照値の少なくとも一つを書き換え可能な第1記憶部と、前記メモリセルからのデータの読み出し時に、前記第1記憶部に記憶された前記参照値に応じて前記参照電圧をそれぞれ生成する参照電圧生成回路とを備えていることを特徴とする不揮発性多値半導体メモリ。
IPC (4件)：
G11C 16/06 ,  G01R 31/28 ,  G11C 16/02 ,  G11C 29/00 673
FI (8件)：
G11C 29/00 673 V ,  G11C 17/00 633 D ,  G11C 17/00 641 ,  G11C 17/00 634 F ,  G11C 17/00 633 C ,  G11C 17/00 601 Z ,  G01R 31/28 B ,  G01R 31/28 V
Fターム (23件)：
2G132AA09 ,  2G132AC03 ,  2G132AD05 ,  2G132AG01 ,  2G132AG09 ,  2G132AK07 ,  2G132AK13 ,  2G132AK15 ,  2G132AL00 ,  2G132AL09 ,  5B025AA03 ,  5B025AB01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD04 ,  5B025AD05 ,  5B025AD09 ,  5B025AD16 ,  5B025AE00 ,  5B025AE08 ,  5B025AE09 ,  5L106AA10 ,  5L106DD31 ,  5L106GG07
引用特許：
審査官引用 (2件)

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