半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-300869
公開番号（公開出願番号）：特開平11-134884
出願日： 1997年10月31日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：

【要約】【課題】外部から設定可能なレジスタの制御データに応じて、書き込みおよび読み出し動作時のパラメータを制御でき、動作条件、チップ特性などに応じたしきい値電圧を設定でき、動作マージンの改善と高精度の読み出しを実現する。【解決手段】半導体チップ上にMPU10、インターフェースブロック20およびフラッシュメモリ30を設けて、インターフェースブロック20に、書き込みおよび読み出し動作を制御するための制御データを記憶するレジスタを設ける。書き込み動作時にMPU10はレジスタからの制御データおよび書き込みデータに応じて、選択メモリセルのしきい値電圧のシフト量を算出し、選択メモリセルのしきい値電圧が算出した値に達するまで書き込みおよびベリファイを繰り返し行い、読み出し時にレジスタの記憶データに応じて選択メモリセルに印加する読み出し電圧を設定し、選択メモリセルの記憶データを読み出す。

請求項（抜粋）：

電荷蓄積層への電荷の授受によりしきい値電圧が変化し、当該しきい値電圧に応じて所定のデータを記憶する少なくとも一つの不揮発性メモリセルからなる不揮発性メモリと、上記不揮発性メモリセルのしきい値電圧を制御するための制御データを記憶するデータ保持手段と、上記データ保持手段からの上記制御データに応じて、書き込み時に書き込み対象であるメモリセルのしきい値電圧を制御し、読み出し時に読み出し対象であるメモリセルのしきい値電圧に応じた記憶データを出力する制御手段とを有する半導体装置。

IPC (2件)：

G11C 16/02 , G11C 16/06

FI (3件)：

G11C 17/00 641 , G11C 17/00 601 E , G11C 17/00 631

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-077291 出願人：株式会社東芝, 岩手東芝エレクトロニクス株式会社
不揮発性半導体記憶装置及びその使用方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-236900 出願人：株式会社東芝
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-225170 出願人：三洋電機株式会社

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