特許
J-GLOBAL ID：200903095077181233
回路内メモリ・アレイ・ビット・セル・スレシホルド電圧分布測定
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大貫 進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-350094
公開番号（公開出願番号）：特開2001-202799
出願日： 2000年11月16日
公開日（公表日）： 2001年07月27日
要約：
【要約】【課題】 信頼性を維持しつつ、サイクル時間短縮およびコスト削減を図った、不揮発性メモリ検査方法を提供する。【解決手段】 不揮発性メモリを動作させる装置および方法は、ビット・セル・アレイを含む。動作電源および検査電源間で選択を行なう。検査電源はチップ上でプログラム可能である。動作電源が選択された場合、不揮発性メモリを動作モードで動作させ、検査電源が選択された場合、検査モードで動作させる。
請求項（抜粋）：
ビット・セル・アレイを含む不揮発性メモリを動作させる方法であって:動作電源および検査電源間で選択を行なう段階であって、前記検査電源がチップ上でプログラム可能である、段階;前記動作電源が選択された場合、前記不揮発性メモリを動作モードで動作させる段階;および前記検査電源が選択された場合、前記不揮発性メモリを検査モードで動作させる段階;から成ることを特徴とする方法。
IPC (8件)：
G11C 29/00 673
, G11C 29/00 675
, G01R 31/28
, G06F 12/16 330
, G06F 15/78 510
, G06F 15/78
, G11C 16/02
, G11C 16/06
G11C 29/00 673 V
, G11C 29/00 675 M
, G06F 12/16 330 A
, G06F 15/78 510 A
, G06F 15/78 510 K
, G01R 31/28 B
, G01R 31/28 V
, G11C 17/00 601 Z
, G11C 17/00 632 C
出願人引用 (18件)
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不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平4-196186
出願人：三菱電機株式会社
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特開昭63-229700
-
半導体記憶装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-133603
出願人：三菱電機株式会社
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審査官引用 (12件)
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