特許

J-GLOBAL ID：200903003732537850

半導体装置及びその製造方法

発明者： 牧田 直樹
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-315286
公開番号（公開出願番号）：特開平10-163495
出願日： 1996年11月26日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：

【要約】【課題】 結晶性の不均一性に左右されずに複数の薄膜トランジスタ間の特性安定化が図れ、高性能で且つ信頼性、安定性の高い薄膜半導体装置を実現する。【解決手段】 複数のTFT121のチャネル領域127を、レーザパルス107を走査ピッチPで順次照射して結晶化された結晶性Si膜108で形成する。ここで、走査ピッチPと、レーザパルス107の走査方向におけるチャネル領域127のサイズSとの間に、概略S=nP(但し、nは0を除く整数)の関係が成立するように設定しておく。

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基板上に複数の薄膜トランジスタが形成された半導体装置において、該複数の薄膜トランジスタのチャネル領域は、パルスレーザ光を走査ピッチPで順次照射して結晶化された結晶性Si膜よりなり、該パルスレーザ光の走査方向における該チャネル領域のサイズSと、該結晶性Si膜の結晶化時の該パルスレーザ光の走査ピッチPとが、概略S=nP(但し、nは0を除く整数)となるように構成されている半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268

FI (4件)：

H01L 29/78 627 G ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 F

引用特許：

審査官引用 (2件)

• レーザーアニール法及び液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-009369   出願人：松下電器産業株式会社
• レーザー処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-198042   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所