特許
J-GLOBAL ID：200903072491014845
レーザーアニール法及び液晶表示装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-009369
公開番号（公開出願番号）：特開平8-201846
出願日： 1995年01月25日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：
【要約】【目的】 薄膜トランジスタの素子能力のばらつきを抑え画像品質の低下が防止できるレーザーアニール法及び液晶表示装置を提供することを目的とする。【構成】 パルスレーザービームのエッジ部分が半導体層17,19を必ず照射する。この半導体層17,19が、走査側の駆動用薄膜トランジスタおよび信号側の駆動用薄膜トランジスタを形成する。
請求項（抜粋）：
液晶表示器に用いられる薄膜トランジスタ基板に対して、パルスレーザービームをその一部が重なるようにずらして照射し、前記薄膜トランジスタ基板に薄膜トランジスタを形成するレーザーアニール法において、画面用の薄膜トランジスタを駆動する駆動用の薄膜トランジスタを形成する半導体薄膜に対して、前記パルスレーザービームのエッジ部分を照射するレーザーアニール法。
IPC (6件)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/13 101
, H01L 21/20
, H01L 21/268
, H01L 29/786
, H01L 21/336
