特許

J-GLOBAL ID：200903003743562946

光学デバイスの製造方法

発明者： ヤ-ホン シー ,  ジョセフ シュムロビッチ ,  アレクサイ グレボフ ,  アラン ジェームス ブルース
出願人/特許権者： ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-344642
公開番号（公開出願番号）：特開2001-166168
出願日： 2000年11月13日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：

【要約】【課題】 シリコン基板上にシリカベースの光学デバイスの製造方法を提供すること。【解決手段】 本発明の光学デバイスは、シリコン基板内に形成されたクラッド層を有する。本発明の光学デバイスは、活性領域を有し、この活性領域がクラッド層上に形成される。このクラッド層は、シリコン製基板に多孔質シリコンの領域を形成することにより形成される。その後多孔質シリコンを酸化し、高密度化する。高密度化処理の後光学デバイスの活性領域をクラッド層の上に形成することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

(A) シリコン製基板に多孔質シリコンの領域を形成するステップと、(B) 前記多孔質シリコンの領域を酸化するステップと、(C) 前記多孔質シリコンの領域を高密度化するステップと、(D) 前記高密度化した多孔質シリコンの領域の上に光学デバイスの活性部分を形成するステップとを有することを特徴とする光学デバイスの製造方法。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 光導波路の形成方法および光導波路素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-001352   出願人：沖電気工業株式会社
• ハイブリッド光集積素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-009087   出願人：沖電気工業株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Porous silicon based heterostructures: formation, properties, and application