光起電力素子及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：渡辺敬介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-248944
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077692
出願日： 1998年09月03日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：

【要約】【課題】 Al等のマイグレーションを起こさない金属を裏面反射層に用いた場合でも、素子についてテクスチャー度の向上を図って可視光領域での光閉込め効率を高めて光導電特性を向上する。【解決手段】基板上に、裏面反射層と、透明導電層と、非単結晶シリコン系材料からなるpin接合を有する半導体層と、透明電極層とを順に積層して、前記透明電極層の上に集電電極を備える光起電力素子において、前記透明導電層201の上に当該透明導電層201に比ベてエッチング速度が遅い極薄薄膜202を形成し、エッチング溶液によるエッチングを行うことにより、透明導電層201表面のテクスチャー度が向上する。

請求項（抜粋）：

基板上に、裏面反射層と、透明導電層と、非単結晶シリコン系材料からなるpin接合を有する半導体層と、透明電極層とを順に積層して、前記透明電極層の上に集電電極を備える光起電力素子において、前記透明導電層の上に当該透明導電層に比ベてエッチング速度が遅い極薄薄膜を形成し、エッチング溶液によるエッチングを行うことにより、透明導電層表面のテクスチャー度が向上されていることを特徴とする光起電力素子。

Fターム (9件)：

5F051AA04 , 5F051AA05 , 5F051CB21 , 5F051DA04 , 5F051FA02 , 5F051FA03 , 5F051FA04 , 5F051FA19 , 5F051GA06

引用特許：

審査官引用 (9件)

太陽電池
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-347457 出願人：キヤノン株式会社
光起電力素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-250713 出願人：キヤノン株式会社
特開平3-099487

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