特許

J-GLOBAL ID：200903003751676527

半導体装置及びその製造方法

発明者： 佐々木 圭一 ,  國島 巌
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-357185
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189492
出願日： 1996年12月26日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】 微細ホールにおける被覆性や埋込み性が良好なWNF膜を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板41の主面側に形成されたMOSトランジスタのソース・ドレイン拡散層を構成する第1の導電部46と、半導体基板41の主面側に形成され第1の導電部46に達するホール部47aが形成された絶縁膜47と、ホール部47a内に形成されその下部が第1の導電部46に接続された第2の導電部48、49と、第2の導電部48、49の上部に接続され配線を構成する第3の導電部50とを有する半導体装置において、第2の導電部48、49の少なくとも一部が原子密度で1%以上のフッ素を含んだ窒化タングステン膜を用いて形成されている。

請求項（抜粋）：

第1の導電部と、この第1の導電部に達するホール部が形成された絶縁部と、前記ホール部内に形成された第2の導電部とを有する半導体装置において、前記第2の導電部の少なくとも一部が原子密度で1%以上のフッ素を含んだ窒化タングステン膜を用いて形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/285 301 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3205

FI (4件)：

H01L 21/285 301 R ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/28 C ,  H01L 21/88 M

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 窒化タングステン膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-323696   出願人：株式会社日立製作所
• 電極配線
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-287567   出願人：株式会社日立製作所