特許
J-GLOBAL ID：200903003768422928

フォトマスクブランクの製造方法及びフォトマスクの製造方法

発明者：
山田 剛之

山田 剛之 について

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牛田 正男

牛田 正男 について

, 
岩下 浩之

岩下 浩之 について


出願人/特許権者：
HOYA株式会社

HOYA株式会社 について


代理人 (1件)： 大塚 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-373993
公開番号（公開出願番号）：特開2007-178498
出願日： 2005年12月27日
公開日（公表日）： 2007年07月12日
要約：
【課題】遮光膜のドライエッチング速度を向上させることでローディング現象を低減でき、微細パターンであっても良好なパターン精度が得られるフォトマスクブランクを提供する。【解決手段】遮光膜2上に形成されるレジストパターン3aをマスクにしてドライエッチング処理により遮光膜をパターニングするフォトマスクの作製方法に対応するドライエッチング処理用のフォトマスクブランクであって、遮光膜は、クロムを含むスパッタリングターゲットを使用し、雰囲気ガスとして酸素及び/又は窒素を含む活性ガスと、ヘリウムを含む不活性ガスとを含む混合ガス雰囲気下でスパッタ成膜し、遮光膜のドライエッチング速度を高めることで、ドライエッチング時間を短縮する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
透光性基板上にクロムを含む材料からなる遮光膜を有するフォトマスクブランクの製造方法において、 前記フォトマスクブランクは、前記遮光膜上に形成されるレジストパターンをマスクにしてドライエッチング処理により、前記遮光膜をパターニングするフォトマスクの作製方法に対応するドライエッチング処理用のフォトマスクブランクであって、 前記遮光膜は、クロムを含むスパッタリングターゲットを使用し、雰囲気ガスとして酸素及び/又は窒素を含む活性ガスと、ヘリウムを含む不活性ガスとを含む混合ガス雰囲気下でスパッタ成膜することを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。
IPC (3件)：
G03F 1/08 ,  H01L 21/027 ,  C23C 14/06
FI (4件)：
G03F1/08 L ,  G03F1/08 G ,  H01L21/30 502P ,  C23C14/06 P
Fターム (18件)：
2H095BA01 ,  2H095BB01 ,  2H095BB03 ,  2H095BB16 ,  2H095BB25 ,  2H095BC05 ,  2H095BC24 ,  4K029AA08 ,  4K029AA24 ,  4K029BA41 ,  4K029BA43 ,  4K029BA55 ,  4K029BA58 ,  4K029BB02 ,  4K029BC07 ,  4K029BD00 ,  4K029CA06 ,  4K029DC34
引用特許：
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (3件)

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