特許
J-GLOBAL ID：200903055304030563
位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及び位相シフトマスクの製造方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-394991
公開番号（公開出願番号）：特開2002-189283
出願日： 2000年12月26日
公開日（公表日）： 2002年07月05日
要約：
【要約】【解決手段】 透明基板上に少なくとも一層の位相シフターを形成してなる位相シフトマスクブランクにおいて、上記位相シフターをフッ素ドープした金属シリサイドを主成分とする膜で形成したことを特徴とする位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及び位相シフトマスクの製造方法を提供する。【効果】 本発明によれば、短波長の光源であっても十分な透過率と経時安定性を有し、更なる半導体集積回路の微細化、高集積化に十分対応することができる高性能な位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクを得ることができる。
請求項（抜粋）：
透明基板上に少なくとも一層の位相シフターを形成してなる位相シフトマスクブランクにおいて、上記位相シフターをフッ素ドープした金属シリサイドを主成分とする膜で形成したことを特徴とする位相シフトマスクブランク。
IPC (3件)：
G03F 1/08
, C23C 14/06
, G03F 1/14
G03F 1/08 A
, C23C 14/06 E
, G03F 1/14 F
2H095BB03
, 2H095BB14
, 2H095BB25
, 2H095BC08
, 2H095BC14
, 4K029AA08
, 4K029AA09
, 4K029BA02
, 4K029BA07
, 4K029BA11
, 4K029BA35
, 4K029BA43
, 4K029BA52
, 4K029BA54
, 4K029BA55
, 4K029BB02
, 4K029CA06
, 4K029DC03
, 4K029DC34
, 4K029DC39
出願人引用 (7件)
全件表示
審査官引用 (7件)
全件表示
前のページに戻る
