特許
J-GLOBAL ID：200903003774070693

半導体集積回路の特性調整用回路

発明者：
今野 秀一

今野 秀一 について


出願人/特許権者：
日本ビクター株式会社

日本ビクター株式会社 について


代理人 (1件)： 浅井 章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-326539
公開番号（公開出願番号）：特開2008-141029
出願日： 2006年12月04日
公開日（公表日）： 2008年06月19日
要約：
【課題】ヒューズ素子等の調整素子を破壊して回路特性の調整を行うに際して、調整素子を破壊する時の効率化を図ると共に、破壊不良が発生した時の歩留り低下も防止できるようにした半導体集積回路の特性調整用回路を提供する。【解決手段】外部より入力される特性制御信号によってその回路特性が調整される半導体集積回路の前記回路特性を調整するために、重み付けが異なる複数の調整素子10A〜10Dを有し、且つ前記調整素子の内の破壊された調整素子に対応して前記特性制御信号を制御して出力するようにした前記半導体集積回路2の特性調整用回路において、前記回路特性の設定値の付近は前記破壊すべき調整素子の数が少なく、前記設定値から離れるに従って前記破壊すべき調整素子の数が多くなるように前記調整素子を割り当てるようにする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
外部より入力される特性制御信号によってその回路特性が調整される半導体集積回路の前記回路特性を調整するために、重み付けが異なる複数の調整素子を有し、且つ前記調整素子の内の破壊された調整素子に対応して前記特性制御信号を制御して出力するようにした前記半導体集積回路の特性調整用回路において、 前記回路特性の設定値の付近は前記破壊すべき調整素子の数が少なく、前記設定値から離れるに従って前記破壊すべき調整素子の数が多くなるように前記調整素子を割り当てるようにしたことを特徴とする半導体集積回路の特性調整用回路。
IPC (2件)：
H01L 21/822 ,  H01L 27/04
FI (1件)：
H01L27/04 V
Fターム (8件)：
5F038AV02 ,  5F038AV03 ,  5F038AV08 ,  5F038AV15 ,  5F038DF03 ,  5F038DF05 ,  5F038DF07 ,  5F038EZ20
引用特許：
出願人引用 (2件)

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