特許

J-GLOBAL ID：200903003779437021

窒化物半導体及びその製造方法

発明者： 坂口 春典
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-038213
公開番号（公開出願番号）：特開2001-223165
出願日： 2000年02月10日
公開日（公表日）： 2001年08月17日
要約：

【要約】【課題】 結晶欠陥の発生を低減すると共に反りの発生を防止することにより、品質と生産性に優れた窒化物半導体及びその製造方法を提供する。【解決手段】 基板1上に成長される窒化物半導体及びその製造方法において、基板1上に窒化物半導体層10を成長させ、その窒化物半導体層10に多数の微細なボイド2aを有する多孔質層2を形成した後、熱処理を施して表面を再結晶化させて再結晶層3を形成する。

請求項（抜粋）：

基板と、該基板上に形成され内部に多数の微細なボイドを有する窒化物半導体層とを備えたことを特徴とする窒化物半導体。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/306 ,  H01L 33/00

FI (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01L 21/306 B

Fターム (42件)：

5F041AA31 ,  5F041AA40 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F043AA16 ,  5F043BB10 ,  5F043DD02 ,  5F043DD08 ,  5F043DD14 ,  5F043DD30 ,  5F043FF10 ,  5F043GG10 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC12 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF02 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF12 ,  5F045BB11 ,  5F045BB12 ,  5F045CA07 ,  5F045CA09 ,  5F045DA52 ,  5F045DA61 ,  5F045HA12 ,  5F045HA16 ,  5F052CA01 ,  5F052DA04 ,  5F052DB01 ,  5F052DB06 ,  5F052EA15

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体基体と、半導体基体および薄膜半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-063135   出願人：ソニー株式会社
• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-038157   出願人：株式会社東芝
• 半導体部材の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-085020   出願人：キヤノン株式会社

引用文献：

審査官引用 (3件)

• Strain relaxation in GaN layers grown on porous GaN sublayers
• Strain relaxation in GaN layers grown on porous GaN sublayers
• Strain relaxation in GaN layers grown on porous GaN sublayers