特許
J-GLOBAL ID：200903003788272523
エレクトロルミネッセンス表示装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
吉田 研二
, 石田 純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-279626
公開番号（公開出願番号）：特開2004-070351
出願日： 2003年07月25日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：
【課題】光の射出過程での減衰を少なくする。【解決手段】有機EL素子から外部への発光光の光路上に位置する、例えば透明電極30の下方における層間絶縁膜20、ゲート絶縁膜16を除去する。これら膜には、SiO2の膜が採用され、このSiO2の屈折率が他の膜との比較的大きく相違するために、ここで光の減衰が生じていた。有機ELからの光の通過部分におけるこれら膜を除去することが光の減衰を減少できる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
エレクトロルミネッセンス表示装置において、
同一基板の上に複数の画素を備え、各画素は、
透明な下部電極、発光材料を含む発光素子層、該発光素子層を挟んで前記下部電極と対向して形成された上部電極とを備えるエレクトロルミネッセンス素子と、
該エレクトロルミネッセンス素子よりも下層に形成されて該エレクトロルミネッセンス素子に電気的に接続され、前記エレクトロルミネッセンス素子の発光を制御するための薄膜トランジスタと、を有し、
前記薄膜トランジスタは、ゲート電極、酸化シリコン層、及びシリコン能動層を含み、該薄膜トランジスタに接続された前記エレクトロルミネッセンス素子の下部電極は、該薄膜トランジスタの非形成領域に延在しており、
前記薄膜トランジスタの非形成領域において、
前記酸化シリコン層は開口されており、前記下部電極と前記基板との層間には、前記薄膜トランジスタ形成領域で該薄膜トランジスタを覆って形成され、かつ前記薄膜トランジスタの非形成領域で前記酸化シリコン層の除去された前記基板の上に形成された水分ブロック絶縁層と、前記水分ブロック絶縁層上に形成された平坦化絶縁層とが設けられていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G09F9/30 338
, G09F9/30 365Z
, H05B33/14 A
3K007BA06
, 3K007CA00
, 3K007DB03
, 3K007FA00
, 3K007GA00
, 5C094AA10
, 5C094AA31
, 5C094BA29
, 5C094CA19
, 5C094EA05
, 5C094EB02
