特許
J-GLOBAL ID:200903039917821061
アクティブマトリクス有機EL表示装置及びその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
宮本 恵司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-328098
公開番号(公開出願番号):特開2002-132186
出願日: 2000年10月27日
公開日(公表日): 2002年05月09日
要約:
【要約】【課題】有機EL素子の迷光、特に基板の法線方向に対して角度を有する迷光や基板面方向に伝搬する迷光を確実に遮断し、TFTの誤動作による画素表示欠陥やコントラストの低下を防止することができるアクティブマトリクス有機EL表示装置及びその製造方法の提供。【解決手段】絶縁性基板9上に裏面シールド層10と絶縁膜11と薄膜トランジスタ3を含む回路部を有し、回路部上に形成された層間絶縁膜15には薄膜トランジスタ3のソース/ドレイン電極と接続される配線層16と、層間絶縁膜15と絶縁膜11とを縦断し裏面シールド層10に当接する遮光体4とが同一材料で形成され、回路部と相重ならない位置に発光領域を有する有機EL素子を備え、遮光体4を、有機EL素子7の発光領域5の略全周を取り囲むように立体的に形成することにより、基板9、絶縁膜11、層間絶縁膜15等の構造体で散乱、反射した迷光や陽極19内部を伝搬した迷光が薄膜トランジスタ3やコンデンサ等からなる回路部に入射することを防止する。
請求項(抜粋):
絶縁性基板上に、互いに直交する方向に延在する複数の配線と、該複数の配線の各交点近傍に設けられた、薄膜トランジスタを含む回路部と、前記複数の配線で囲まれた各々の画素領域に前記回路部と相重ならないように配設された有機EL素子とを備えたアクティブマトリクス有機EL表示装置において、前記基板の法線方向から見て、前記回路部と前記有機EL素子の発光領域との間の少なくとも一部に光を遮断する材料からなる遮光体を備え、該遮光体が、少なくとも前記薄膜トランジスタ形成層を縦断する立体的な構造体からなることを特徴とするアクティブマトリクス有機EL表示装置。
IPC (7件):
G09F 9/30 338
, G09F 9/30 349
, G09F 9/30 365
, H01L 29/786
, H05B 33/14
, H05B 33/22
, H05B 33/26
FI (7件):
G09F 9/30 338
, G09F 9/30 349 C
, G09F 9/30 365 Z
, H05B 33/14 A
, H05B 33/22 Z
, H05B 33/26 Z
, H01L 29/78 619 B
Fターム (62件):
3K007AB05
, 3K007AB17
, 3K007AB18
, 3K007BA06
, 3K007CA01
, 3K007CB01
, 3K007DA01
, 3K007DB03
, 3K007EB00
, 3K007FA01
, 5C094AA06
, 5C094AA16
, 5C094AA25
, 5C094AA43
, 5C094AA48
, 5C094AA53
, 5C094BA03
, 5C094BA27
, 5C094CA19
, 5C094DA13
, 5C094DB01
, 5C094DB04
, 5C094DB10
, 5C094EA05
, 5C094EA06
, 5C094EA10
, 5C094EB02
, 5C094ED15
, 5C094FA01
, 5C094FA02
, 5C094FB12
, 5C094FB14
, 5C094FB15
, 5C094GB10
, 5F110AA21
, 5F110BB01
, 5F110CC02
, 5F110DD02
, 5F110DD13
, 5F110EE05
, 5F110FF02
, 5F110GG02
, 5F110GG13
, 5F110GG25
, 5F110GG44
, 5F110HJ01
, 5F110HL03
, 5F110HL23
, 5F110NN03
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN27
, 5F110NN35
, 5F110NN41
, 5F110NN45
, 5F110NN47
, 5F110NN54
, 5F110NN72
, 5F110NN80
, 5F110PP03
, 5F110QQ11
, 5F110QQ19
引用特許: