特許
J-GLOBAL ID:200903003797931459

回路基板の加工方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-240313
公開番号(公開出願番号):特開2000-068625
出願日: 1998年08月26日
公開日(公表日): 2000年03月03日
要約:
【要約】【課題】 電極間の絶縁抵抗が大きく、クロストークノイズの発生を抑制し、加工形状に優れた微細な回路パターンを形成すること。【解決手段】 セラミック基板1上に設けられた導体薄膜2にレーザ光3を照射して、導体薄膜2を所定の回路パターンに加工すると同時に、セラミック基板1に深さ10〜40μmの溝を加工する。
請求項(抜粋):
基板上に設けられた導体材料に光ビームを照射して、前記導体材料を所定の回路パターンに加工すると同時に、前記基板の前記回路パターン間に所定深さの溝を加工することを特徴とする、回路基板の加工方法。
IPC (3件):
H05K 3/08 ,  H01L 23/13 ,  H05K 3/00
FI (3件):
H05K 3/08 D ,  H05K 3/00 N ,  H01L 23/12 C
Fターム (6件):
5E339AB06 ,  5E339AE10 ,  5E339BC02 ,  5E339BE05 ,  5E339DD03 ,  5E339FF02
引用特許:
審査官引用 (4件)
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