特許

J-GLOBAL ID：200903003819562860

金属およびケイ素を含有する3成分窒化物薄膜の形成方法

発明者： イ,キョウン-ソー ,  コ,ウォン-ヨン ,  カン,サン-ウォン
出願人/特許権者： ジェニテック コーポレーション リミテッド
代理人 (1件)： ▲吉▼川 俊雄
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-570818
公開番号（公開出願番号）：特表2002-525432
出願日： 1999年09月10日
公開日（公表日）： 2002年08月13日
要約：

【要約】基板上の半導体デバイスにおいて使用される、金属、ケイ素および窒素を含有する3成分薄膜を形成させるための方法。本発明の方法は下記の工程を含む:ガス状金属化合物、ガス状ケイ素化合物およびアンモニアガスからなる群から選択される少なくとも1つのガスを含むそれぞれの反応性ガスを、前記ガス状金属化合物および前記アンモニアガスが混合物を形成しないような条件のもとで調製する工程;前記ガス状金属化合物、前記ガス状ケイ素化合物および前記アンモニアガスのそれぞれの供給が1つのガス供給サイクルにおいて少なくとも1回は含まれるように、前記反応性ガスの連続的なガス供給サイクルを決定する工程;および前記ガス供給サイクルを少なくとも1回繰り返すことによって前記反応性ガスを前記基板に当てる工程。本発明によって、3成分窒化物薄膜を、半導体基板表面の不規則さに関わらず、均一な厚さで形成させることができる。

請求項（抜粋）：

金属およびケイ素を含有する3成分窒化物薄膜を基板上に形成させるための方法であって、下記の工程を含む方法:(a)ガス状金属化合物、ガス状ケイ素化合物およびアンモニアガスからなる群から選択される少なくとも1つのガスを含むそれぞれの反応性ガスを、前記ガス状金属化合物および前記アンモニアガスが混合物を形成しないような条件のもとで調製する工程;(b)前記ガス状金属化合物、前記ガス状ケイ素化合物および前記アンモニアガスのそれぞれの供給が1つのガス供給サイクルにおいて少なくとも1回は含まれるように、前記反応性ガスの連続的なガス供給サイクルを決定する工程;および(c)前記ガス供給サイクルを少なくとも1回繰り返すことによって前記反応性ガスを前記基板に当てる工程。

IPC (3件)：

C23C 16/34 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301

FI (3件)：

C23C 16/34 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 Z

Fターム (22件)：

4K030AA02 ,  4K030AA06 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA16 ,  4K030BA18 ,  4K030BA27 ,  4K030BA29 ,  4K030BA38 ,  4K030BA42 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030LA15 ,  4M104AA01 ,  4M104BB25 ,  4M104BB27 ,  4M104BB28 ,  4M104BB38 ,  4M104CC01 ,  4M104DD45 ,  4M104FF18 ,  4M104HH04

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体ウエハ上に膜を構築するためのチャンバ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-218887   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 半導体ウエハ上への膜の構築
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-218886   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• バリアメタルの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-298569   出願人：三菱電機株式会社