半導体ウエハ上への膜の構築

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-218886
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144626
出願日： 1997年07月09日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：

【要約】【課題】抵抗率が改善された、共形性の高い拡散バリアの、インシチュウによる構築。【解決手段】先ず、材料の層をウエハの上に堆積させる。この材料は、2種原子の窒化メタル(MxNy)又は3種原子の窒化珪化メタル(MxSiyNz)であってもよい(Mは、チタンTi、ジルコニウムZr、ハフニウムHf、タンタルTa、モリブデンMo、タングステンW又はその他のメタルであってもよい。)。この材料の堆積操作は、化学気相堆積や物理気相堆積等、様々な手段で遂行することができる。材料の堆積後、この材料層の抵抗率を低減するため、材料をプラズマアニールする。このプラズマアニールは、イオンを有する環境下にこの材料を曝露する工程と、この材料の層に電気的バイアスを与えて、イオンがこの材料に衝撃を与えるようにする工程を有していてもよい。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハ上に膜を構築するための方法であって、前記方法は、(a)前記ウエハの上に材料の層を堆積させるステップ(a)と、(b)前記ステップ(a)に続いて、前記材料層の抵抗率を下げるため、前記材料層にアニールを施すステップ(b)であって、前記ステップ(b)は、前記材料層に第1のプラズマアニールを施すステップと、前記第1のプラズマアニールの行った後、前記材料層に第2のプラズマアニールを施すステップとを有する前記ステップ(b)とを備える方法。

IPC (6件)：

H01L 21/285 , C23C 16/54 , C23C 16/56 , H01L 21/02 , H01L 21/324 , H01L 21/205

FI (6件)：

H01L 21/285 C , C23C 16/54 , C23C 16/56 , H01L 21/02 Z , H01L 21/324 P , H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (10件)

バリアメタルの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-269683 出願人：ソニー株式会社
プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-113587 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-198376 出願人：東京エレクトロン山梨株式会社

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