特許
J-GLOBAL ID:200903003833598877
半導体パッケージ及び半導体装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
後藤 洋介 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-103812
公開番号(公開出願番号):特開平8-306743
出願日: 1995年04月27日
公開日(公表日): 1996年11月22日
要約:
【要約】【目的】 半導体パッケージの半田バンプに伴う諸問題を解決することである。【構成】 半導体パッケージを取り付けられる半導体チップの電極パッドの増加に対処できるように、パッケージを構成する絶縁フィルムを多層化して、配線を各層に分散させ、実装に使用される半田バンプの数を電極パッドの数より減少させることができる。また、半田バンプとパッケージとの機械的接合強度を補強するために、半田バンプの付け根部分の面積をパッケージの電極パッドより広い面積にするか、半田バンプの周囲を樹脂によって補強する。樹脂によって半田バンプの周囲を囲んだ場合、プリント基板実装後に、半導体チップをリペアできる半導体装置を構成できる。更に、半田バンプに複数箇所で接触できる突起電極を有するプローブを構成することにより、半田バンプの導通試験を正確に行うことができる。
請求項(抜粋):
半導体チップの一表面と実質上等しいサイズを有し、前記半導体チップの前記一表面を覆うように取り付けられる半導体パッケージにおいて、それぞれ、ビアホールを有すると共に、配線を施された複数枚の絶縁フィルムと、各絶縁フィルム上の配線を電気的に接続するためのビアホール配線と、前記複数枚の絶縁フィルムの最外層から突出した導電性突起物とを有することを特徴とする半導体パッケージ。
IPC (2件):
H01L 21/60 311
, H01L 23/12
FI (2件):
H01L 21/60 311 W
, H01L 23/12 N
引用特許:
審査官引用 (4件)
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特開平4-037148
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半導体集積回路装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-268290
出願人:株式会社日立製作所, 日立北海セミコンダクタ株式会社
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半導体装置及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-100393
出願人:日東電工株式会社
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-209932
出願人:株式会社日立製作所
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