特許

J-GLOBAL ID：200903003840054998

電荷結合デバイス

発明者： 原田 耕一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 野田 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-031776
公開番号（公開出願番号）：特開2003-234463
出願日： 2002年02月08日
公開日（公表日）： 2003年08月22日
要約：

【要約】【課題】 優れたオーバーフロー特性の縦型オーバーフロードレイン構造(VOD)を備えた、n形半導体基板上に形成した電荷結合デバイスを提供する。【解決手段】 電荷結合デバイス10は、n形半導体基板12上に形成されており、第1pウェル14、光電変換領域18、チャネルストップ部24、及び第2pウェル部25を備える。チャネルストップ部24及び第2pウェル部25を接地し、n形半導体基板12に第1正電位を、第1pウェル14に第2正電位を印加し、第2正電位を第1正電位より低くしてn形半導体基板12と第1pウェル14との間のpn接合に逆方向バイアスがかかるようにしてVODを構成した。第1pウェル14とチャネルストップ部24及び第2pウェル部25とを電気的に分離し、第1pウェル14の厚さの少なくとも一部が常に中性領域として維持されるようにすることで、優れたオーバーフロー特性が得られるようにした。

請求項（抜粋）：

n形半導体基板上に形成した電荷結合デバイスにおいて、前記n形半導体基板に形成したp形拡散層から成る第1pウェルと、前記第1pウェル上に形成した低ドープn形半導体層と、前記低ドープn形半導体層にアレイを成すように形成したn形拡散領域から成る複数の光電変換領域であって各々が前記複数の光電変換領域の表面に形成した高ドープp形拡散領域と前記低ドープn形半導体層及び前記第1pウェルの対応する部分と協働してフォトセンサを構成する複数の光電変換領域と、前記低ドープn形半導体層に形成したn形拡散領域から成る複数の電荷転送路と、前記低ドープn形半導体層に形成した高ドープp形拡散領域から成る複数のチャネルストップ部であって各々が前記複数の電荷転送路に付随する複数のチャネルストップ部と、前記低ドープn形半導体層に形成したp形拡散領域から成る複数の第2pウェル部であって各々が前記複数の電荷転送路に付随する複数の第2pウェル部と、前記低ドープn形半導体層の上面を覆う絶縁層と、前記絶縁層上に前記複数の光電変換領域の各々に対応させて形成した複数のゲート電極とを備え、前記低ドープn形半導体層の厚さを前記チャネルストップ部及び前記第2pウェル部の深さと比べて十分に大きくすることで、前記第1pウェルと前記チャネルストップ部及び前記第2pウェル部とを電気的に分離し、前記チャネルストップ部及び前記第2pウェル部にグラウンド電位を与え、前記n形半導体基板に第1正電位を印加し、前記第1pウェルに第2正電位を印加し、前記第2正電位を前記第1正電位より低くして前記n形半導体基板と前記第1pウェルとの間のpn接合に逆方向バイアスがかかるようにすることで縦型オーバーフロードレイン構造を構成し、前記第1pウェルの厚さを十分に大きく、前記第1pウェルのドーピング濃度を十分に高くすることで、前記第1pウェルの厚さの少なくとも一部が常に中性領域として維持されるようにした、ことを特徴とする電荷結合デバイス。

Fターム (8件)：

4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA13 ,  4M118CA04 ,  4M118FA06 ,  4M118FA13 ,  4M118FA26 ,  4M118FA35

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 固体撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-010913   出願人：富士フイルムマイクロデバイス株式会社, 富士写真フイルム株式会社
• 固体撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-187385   出願人：ソニー株式会社