特許
J-GLOBAL ID：200903003859747994
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
金倉 喬二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-372615
公開番号（公開出願番号）：特開2006-179738
出願日： 2004年12月24日
公開日（公表日）： 2006年07月06日
要約：
【課題】電極を有するWCSP型の半導体装置の厚さを薄くする手段を提供する。【解決手段】半導体装置が、第1の面と、この第1の面と対向する第2の面とを有する半導体基板2と、半導体基板2の第1の面上に配置され、半導体基板2の第1の面上に形成される回路素子と電気的に接続する電極パッド5と、電極パッド5上に形成された第1の金属層と、第1の金属層上に形成された配線層と、半導体基板2の第1の面側を封止する保護層6と、保護層6に形成され、配線層の一部を露出する開口部と、開口部上に形成され、露出した配線層の一部と接続される電極とを備える。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
第1の面と、該第1の面と対向する第2の面とを有する半導体基板と、
前記半導体基板の前記第1の面上に配置され、前記半導体基板の前記第1の面上に形成される回路素子と電気的に接続する電極パッドと、
前記電極パッド上に形成された第1の金属層と、
前記第1の金属層上に形成された配線層と、
前記半導体基板の前記第1の面側を封止する保護層と、
前記保護層に形成され、前記配線層の一部を露出する開口部と、
前記開口部上に形成され、前記露出した前記配線層の一部と接続される電極とを備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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