特許
J-GLOBAL ID：200903003863968423
電界放出カソード及び電界放出カソードの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
脇 篤夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-287264
公開番号（公開出願番号）：特開平7-122179
出願日： 1993年10月25日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：
【要約】【目的】 集束電極を有する電界放出カソードをなるべく簡易に製造すること。【構成】 基板1上にカソード電極層2,抵抗層3,第1絶縁層4,ゲート電極層5,マスク層6を積層し、マスク層6をエッチングしてリング状マスク層8とする。次いで、その上に第2絶縁層9,集束電極層10を積層し、リング状マスク層8に合わせてゲート電極5まで第1開口部12を形成する。次に、リング状マスク層8をマスクとして抵抗層まで第2開口部13を形成する。そして、第2開口部13内にエミッタコーン16を形成する。
請求項（抜粋）：
少なくとも、絶縁基板上にカソード電極層、第1絶縁層、ゲート電極層,マスク層を順次成膜した積層基板に対して、上記積層基板の表面に第1レジスト層を形成し、この第1レジスト層をリング状にパターニングした後、エッチングを行い上記マスク層をリング状とする第1の工程と、該第1の工程により得られたリング状の上記マスク層の上方より第2絶縁層と集束電極層を順次成膜した後、その上に第2レジスト層を形成し、この第2レジスト層に、少なくともリング状の上記マスク層の周辺部が含まれるような開口部をパターニングした後、異方性エッチングにより上記集束電極層、上記第2絶縁層に第1開口部を形成すると共に、この第1開口部の底部に上記マスク層及び上記ゲート電極層を露出させる第2工程と、上記マスク層でマスクされていない上記ゲート電極層及び上記第1絶縁層の部分に異方性エッチングを施し、第2開口部を形成する第3の工程と、上記基板の表面に剥離層を形成した後、エミッタ電極材料を正蒸着して、上記第2開口部内にコーン状のエミッタを形成すると共に、上記剥離層を除去する第4の工程とからなることを特徴とする電界放出カソードの製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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