電界効果トランジスタ

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：酒井宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-094030
公開番号（公開出願番号）：特開2009-246292
出願日： 2008年03月31日
公開日（公表日）： 2009年10月22日
要約：

【課題】高移動度と高耐圧とを両立したノーマリオフ型の電界効果トランジスタを提供すること。【解決手段】III族窒化物半導体からなる電界効果トランジスタであって、基板上に形成されたGaNからなる電子走行層と、前記電子走行層上に形成され、該電子走行層とはバンドギャップエネルギーが異なるAlxGa1-xN(0.01≦x≦0.4)からなり、該電子走行層に到る深さまで形成されたリセス部によって分離した電子供給層と、前記分離した各電子供給層上に前記リセス部を挟んで形成されたソース電極およびドレイン電極と、前記各電子供給層上にわたって前記リセス部内における前記電子走行層の表面を覆うように形成されたゲート絶縁膜と、前記リセス部において前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、を備え、前記電子供給層の層厚は、5.5nm以上40nm以下である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

III族窒化物半導体からなる電界効果トランジスタであって、基板上に形成されたGaNからなる電子走行層と、前記電子走行層上に形成され、該電子走行層とはバンドギャップエネルギーが異なるAlxGa1-xN(0.01≦x≦0.4)からなり、該電子走行層に到る深さまで形成されたリセス部によって分離した電子供給層と、前記分離した各電子供給層上に前記リセス部を挟んで形成されたソース電極およびドレイン電極と、前記各電子供給層上にわたって前記リセス部内における前記電子走行層の表面を覆うように形成されたゲート絶縁膜と、前記リセス部において前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、を備え、前記電子供給層の層厚は、5.5nm以上40nm以下であることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 29/78

FI (4件)：

H01L29/80 H , H01L29/78 301B , H01L29/78 301V , H01L29/78 301S

Fターム (57件)：

5F102FA01 , 5F102FA02 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD10 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM08 , 5F102GM09 , 5F102GM10 , 5F102GN04 , 5F102GN08 , 5F102GN10 , 5F102GQ01 , 5F102GR04 , 5F102GR12 , 5F102GR13 , 5F102GS03 , 5F102GT03 , 5F102HC01 , 5F102HC15 , 5F140AA01 , 5F140AA05 , 5F140AA25 , 5F140BA01 , 5F140BA02 , 5F140BA06 , 5F140BA17 , 5F140BB06 , 5F140BB13 , 5F140BB15 , 5F140BB18 , 5F140BC12 , 5F140BD05 , 5F140BE09 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF43 , 5F140BG28 , 5F140BG30 , 5F140BG44 , 5F140BH07 , 5F140BH27 , 5F140BH30 , 5F140BJ07 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BK29 , 5F140BK38 , 5F140CE02

引用特許：

出願人引用 (4件)

国際公開第2003/071607号パンフレット
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-196751 出願人：日本電気株式会社
窒化物系半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-397147 出願人：株式会社東芝

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審査官引用 (3件)

窒化物系半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-397147 出願人：株式会社東芝
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-196751 出願人：日本電気株式会社
半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-210989 出願人：トヨタ自動車株式会社, 株式会社豊田中央研究所

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