特許
J-GLOBAL ID：200903092746316124

窒化物系半導体装置

発明者：
蔵口 雅彦

蔵口 雅彦 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (7件)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  川又 澄雄 ,  中村 友之 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-397147
公開番号（公開出願番号）：特開2005-159117
出願日： 2003年11月27日
公開日（公表日）： 2005年06月16日
要約：
【課題】 スイッチング速度を低下することなく、高耐圧、且つ低オン抵抗を可能にした窒化物系半導体装置を提供する。【解決手段】 InXGa1-XN(0≦X≦1)からなるキャリア走行層1と、そのキャリア走行層1上に配置され、第1領域201及びその第1領域201に連結し、第1領域201よりも膜厚の厚い第2領域202を有するAlYGa1-YN(0≦Y≦1)からなる障壁層2と、第1領域201上に配置されたゲート電極3と、第2領域202上に配置されたドレイン電極4と、第1領域201を挟んで第2領域202と対向する、障壁層2の第3領域203上に配置されたソース電極5とを備え、ゲート電極3とドレイン電極4間の距離L1a+L2aが、0.4/(5×X+Y)μm以上である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
InXGa1-XN(0≦X≦1)からなるキャリア走行層と、 該キャリア走行層上に配置され、第1領域及び該第1領域に連結し、該第1領域よりも膜厚の厚い第2領域を有するAlYGa1-YN(0≦Y≦1)からなる障壁層と、 前記第1領域上に配置されたゲート電極と、 前記第2領域上に配置されたドレイン電極と、 前記第1領域を挟んで前記第2領域と対向する、前記障壁層の第3領域上に配置されたソース電極 とを備え、前記ゲート電極と前記ドレイン電極間の距離が、0.4/(5×X+Y)μm以上であることを特徴とする窒化物系半導体装置。
IPC (3件)：
H01L21/338 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812
FI (2件)：
H01L29/80 B ,  H01L29/78 301B
Fターム (27件)：
5F102FA00 ,  5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GR04 ,  5F102GR12 ,  5F102GR13 ,  5F102GS04 ,  5F102GV05 ,  5F102HA20 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15 ,  5F102HC16 ,  5F102HC19 ,  5F140AA01 ,  5F140AA25 ,  5F140AB08 ,  5F140BA09 ,  5F140BC11 ,  5F140BF42 ,  5F140BH30
引用特許：
審査官引用 (2件)
引用文献：
審査官引用 (3件)

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