セラミックス多層配線基板と薄膜パターンのアライメント方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-340935
公開番号（公開出願番号）：特開平10-186683
出願日： 1996年12月20日
公開日（公表日）： 1998年07月14日
要約：

【要約】【課題】歪み、変形、収縮を含むセラミックス多層配線基板上に直接描画露光方式で薄膜パターンを形成する際のアライメントを高精度に行う。【解決手段】セラミックス多層配線基板上のLSI搭載エリアとターゲットマークを撮影して得られた位置座標と設計座標により補正量を算出する。

請求項（抜粋）：

セラミックス多層配線基板上に設けられた複数のLSI搭載エリアと薄膜パターンをアライメントする為のターゲットマークを撮影することによって得られた画像データを基に前記LSI搭載エリアと前記ターゲットマークの位置座標を算出し、算出した位置座標と、個々のLSI搭載エリアと薄膜パターンをアライメントする為のターゲットマークに対応する設計位置座標に所定の演算処理を施すことにより、アライメントに必要な補正量(回転角度及び平行移動量)を算出し、算出した前記補正量に基づいて前記薄膜パターンを露光する為に必要な露光データを変換することを特徴とするセラミックス多層配線基板と薄膜パターンのアライメント方法。

IPC (3件)：

G03F 9/00 , H05K 3/00 , H05K 3/46

FI (5件)：

G03F 9/00 H , H05K 3/00 G , H05K 3/46 E , H05K 3/46 H , H05K 3/46 Q

引用特許：

出願人引用 (4件)

露光方法及び薄膜多層基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-173059 出願人：株式会社日立製作所
特開昭60-179745
特開平4-037023

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