特許
J-GLOBAL ID：200903003933454490

光電変換装置

発明者：
椙田 由考

椙田 由考 について

, 
早川 尚志

早川 尚志 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-079048
公開番号（公開出願番号）：特開2005-268547
出願日： 2004年03月18日
公開日（公表日）： 2005年09月29日
要約：
【課題】p型層又はn型層に高濃度の炭素を添加させることなく、高い光電変換効率が得られる光電変換装置を提供すること。【解決手段】本発明の光電変換装置は、半導体からなる第1導電型層、微結晶半導体からなるi型層、半導体からなる第2導電型層をこの順に積層して構成された光電変換層を備え、第1導電型層及び第2導電型層の少なくとも一方は、炭素原子を含有した微結晶シリコンからなる炭素含有層である。 発明者は、第1導電型層及び第2導電型層の少なくとも一方を、炭素原子を含有した微結晶シリコンで形成することにより、上記半導体層に含まれる炭素量が少ない場合、例えば、炭素原子の濃度が0.1〜9.8原子%である場合であっても、高い光電変換効率が得られることを見出し、本発明の完成に到った。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体からなる第1導電型層、微結晶半導体からなるi型層及び半導体からなる第2導電型層をこの順に重ねて有する光電変換層を備え、第1導電型層及び第2導電型層の少なくとも一方は、炭素原子を含有した微結晶シリコンからなる炭素含有層である光電変換装置。
IPC (1件)：
H01L31/04
FI (1件)：
H01L31/04 N
Fターム (14件)：
5F051AA04 ,  5F051CA02 ,  5F051CA03 ,  5F051CA04 ,  5F051CA07 ,  5F051CA15 ,  5F051CB15 ,  5F051CB27 ,  5F051DA04 ,  5F051DA17 ,  5F051DA18 ,  5F051FA02 ,  5F051FA23 ,  5F051GA03
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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