薄膜トランジスタおよびその作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-274747
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213633
出願日： 1995年09月28日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：

【要約】【目的】信頼性と特性に優れた結晶性シリコンの活性層を有する薄膜トランジスタ(TFT)および、そのようなTFTを安価に製造する方法を提供する。【構成】チャネル形成領域に隣接して、少なくとも2つの低濃度不純物領域と、ソース/ドレインを有する薄膜トランジスタにおいて、ソース/ドレイン領域にはアモルファスシリコンを結晶化させる触媒元素が含有されている。この触媒元素の作用により、ソース/ドレイン領域の活性化が低温度で、短時間で行うことができる。また、チャネル形成領域と低濃度不純物領域の境界において、該触媒元素の濃度はソース/ドレイン領域よりも小さくしている。

請求項（抜粋）：

絶縁表面上に形成された結晶性シリコン膜に、チャネル形成領域と、該チャネル形成領域の外側に設けられたソース/ドレイン領域と、前記チャネル形成領域と前記ソース/ドレイン領域とに挟まれた少なくとも2つの低濃度不純物領域と、を有する薄膜トランジスタにおいて、前記低濃度不純物領域のN型もしくはP型の導伝型を付与する不純物の濃度は、前記ソース/ドレイン領域の不純物濃度よりも低く、かつ前記ソース/ドレイン領域には、1×1017原子/cm3 を越える濃度でアモルファスシリコン膜の結晶化を促進する触媒元素を有し、前記チャネル形成領域と前記低濃度不純物領域の境界での前記触媒元素の濃度は、1×1017原子/cm3 未満であることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/20

FI (2件)：

H01L 29/78 616 A , H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (4件)

薄膜トランジスタおよびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-078997 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
薄膜トランジスタおよびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-078999 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
特開平4-254335

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