半導体パッケージ用回路基板及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：瀬谷徹 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-399636
公開番号（公開出願番号）：特開2002-016183
出願日： 2000年12月27日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：

【要約】【課題】高集積設計が可能であり、高信頼性を有するようにする半導体パッケージ用回路基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】略平面の第1面と第2面を有する樹脂層2と、樹脂層の第1面2aまたは第2面2b中、いずれかの一面にボンドフィンガー4a及びボールランド4bを包含して形成された導電性回路パターン4と、ボンドフィンガー及びボールランドを除外した導電性回路パターンの全体及び導電性回路パターンが形成されない樹脂層の表面にコーティングされたソルダマスク8と、ソルダマスクにより外部に露出されたボンドフィンガー及びボールランドの表面中、樹脂層の第1面また第2面中、いずれかの一面と水平な表面にだけニッケル及び金を順次的に鍍金し形成された鍍金層6とを包含してなる。

請求項（抜粋）：

略平面の第1面と第2面を有する樹脂層と、前記樹脂層の第1面または第2面中、いずれかの一面にボンドフィンガー及びボールランドを包含して形成された導電性回路パターンと、前記ボンドフィンガー及びボールランドを除外した導電性回路パターンの全体及び前記導電性回路パターンが形成されない樹脂層の表面にコーティングされたソルダマスクと、前記ソルダマスクにより外部に露出されたボンドフィンガー及びボールランドの表面中、前記樹脂層の第1面また第2面中、いずれかの一面と水平な表面にだけニッケル(Ni)及び金(Au)を順次的に鍍金し形成された鍍金層とを包含してなることを特徴とする半導体パッケージ用回路基板。

IPC (2件)：

H01L 23/12 501 , H01L 23/12

FI (2件)：

H01L 23/12 501 W , H01L 23/12 F

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-155704 出願人：シチズン時計株式会社
回路基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-283879 出願人：新光電気工業株式会社

審査官引用 (2件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-155704 出願人：シチズン時計株式会社
回路基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-283879 出願人：新光電気工業株式会社

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