特許
J-GLOBAL ID：200903099120856547
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大澤 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-155704
公開番号（公開出願番号）：特開2000-082760
出願日： 1999年06月02日
公開日（公表日）： 2000年03月21日
要約：
【要約】【課題】 加熱実装時に、半導体チップの剥離やボンディングワイヤの切断などが発生しないようにして、半導体装置の信頼性を高める。【解決手段】 回路基板25の上面に半導体チップ29を接着剤27で搭載するダイパターン17と、半導体チップ29の各電極とボンディングワイヤ31で接続される接続電極19とを設け、裏面にダイパターン17又は接続電極19とスルーホール15,13を通して電気的に接続される配線パターン10c,10bと、各配線パターン10bと電気的に接続される多数の半田バンプ35とを設け、半導体チップ29と対向する部分の配線パターン10cを、半導体チップ29の全周に亘ってその外形寸法よりも大きい所定範囲内の全面に形成する。
請求項（抜粋）：
回路基板に半導体チップを接着剤を用いて搭載して樹脂封止してなる半導体装置であって、前記回路基板は、その一方の面に、前記半導体チップを接着剤を用いて搭載するためのダイパターンと、前記半導体チップの各電極とそれぞれボンディングワイヤによって接続される多数の接続電極とを有し、他方の面に、前記ダイパターン又は接続電極とスルーホールを通して電気的に接続された配線パターンと、該配線パターン上に設けられた多数のパッド電極と、その各パッド電極を介して前記配線パターンと電気的に接続される多数の半田バンプとを有し、前記回路基板の他方の面の配線パターンの前記半導体チップと対向する部分が、該半導体チップの全周に亘ってその外形寸法よりも大きい所定範囲内のほぼ全面に形成されていることを特徴とする半導体装置。
FI (3件)：
H01L 23/12 L
, H01L 23/12 Q
, H01L 23/12 F
