特許
J-GLOBAL ID：200903085354286999
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-178278
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135830
出願日： 1998年06月25日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：
【要約】【課題】シリコンを使った発光素子の発光効率を向上し、かつ電気的に制御可能にする。【解決手段】発光部分のシリコンを量子サイズ効果が発現するような10nm以下のサイズの結晶からなる微結晶とする。この微結晶の周辺にが5nm 以下の厚さの絶縁膜を形成し、この微細構造部分をP型とN型の半導体で挟む。P型半導体とN型半導体がその微細構造部分でのみ電気的に接合させ、その他の部分は絶縁膜などにより電気的に絶縁させる。電子と正孔がトンネルにより、前記微結晶中に注入され効率よく際結合し発光する。
請求項（抜粋）：
P型IV族半導体層と、前記P型IV族半導体層上に形成され、表面を該半導体よりも抵抗率が高い高抵抗膜または絶縁膜で覆われた半導体微結晶を含む半導体微結晶層と、前記半導体微結晶層上に形成されたN型IV族半導体層とを具備し、前記半導体微結晶は、量子閉込め効果を発現する大きさで、前記P型IV族半導体層と前記N型IV族半導体層間に電圧を印加することによって電子及び正孔が前記高抵抗膜または絶縁膜をトンネルし、前記半導体微結晶中に注入され、前記電子と前記正孔が再結合することにより発光することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 33/00
, H01L 27/12
, H01L 29/06
, H01L 29/66
H01L 33/00 A
, H01L 27/12 Z
, H01L 29/06
, H01L 29/66
