特許
J-GLOBAL ID：200903004043859847
高周波半導体電子素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-096419
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283701
出願日： 1996年04月18日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：
【要約】【課題】 携帯電話装置の送信用パワーAMPモデュールにおいて二個のパワーFETを無理なく一個のチップ基盤上に構成する。【解決手段】 FETQ1はソース1-1、ゲート1-2、ドレイン1-3で構成され、それぞれソースパッド6、外部端子(ゲート)、外部端子(ドレイン)に、同じくソースボンディング(ワイア)1-4、ゲートボンディング(ワイア)1-5、ドレインボンディング(ワイア)1-6で接続される。同様にFETQ2はソース2-1、ゲート2-2、ドレイン2-3で構成され、それぞれソースパッド6、外部端子(ゲート)、外部端子(ドレイン)に、同じくソースボンディング(ワイア)2-4、ゲートボンディング(ワイア)2-5、ドレインボンディング(ワイア)2-6で接続される。
請求項（抜粋）：
ソース、ゲート及びドレインからなる複数のパワーFETを構成する一枚のチップ基盤と、前記チップ基盤を装着するチップパッケージと、前記チップパッケージをソースパッドと複数の外部端子によって外部回路へ接続する外部接続手段と、前記ソースと前記ソースパッド間及び前記ゲート及び前記ドレインと前記外部端子間をワイアボンディングで接続するワイアボンディング手段とを含み、前記ソースと前記ソースパッド間のワイアボンディングの本数を5本以上とすることを特徴とする高周波半導体電子素子。
IPC (3件)：
H01L 25/07
, H01L 25/18
, H01L 29/78
H01L 25/04 C
, H01L 29/78 652 Q
