GaN系発光素子

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： , , ,
代理人 (1件)：小西富雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-311441
公開番号（公開出願番号）：特開平10-145004
出願日： 1996年11月06日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：

【要約】【課題】発光層に注入されたキャリヤに対する閉じ込め効果が高くかつクラックが入り難くしたGaN系発光素子を提供する。【解決手段】基板1と、発光層5と、発光層5を挟むようにして配置された第1のクラッド層3及び第2のクラッド層7と、発光層5と第1及び第2のクラッド層3、7との間に設けられてキャリアの透過を防止するストッパ層4、6とを備えてなる発光素子において、ストッパ層におけるAlの組成とその膜厚、及びクラッド層のAlの組成とその膜厚を適当に調節する。例えば、第2のストッパ層6をAlX2Ga1ーX2N:X2=0.1〜0.5で形成し、かつ厚さを10〜50nmとし、第2のクラッド層7をAlY2Ga1ーY2N:Y2=0〜0.15で形成し、かつその厚さを100〜1000nmとする。

請求項（抜粋）：

GaN系の化合物半導体で形成される発光素子であって、基板と、発光層と、前記発光層を挟むようにして配置されたn伝導型のクラッド層及びp伝導型のクラッド層と、前記発光層と前記p伝導型のクラッド層との間に形成されるストッパ層であって、該ストッパ層は前記発光層中のキャリヤがこれを通り抜けることを実質的に防止するストッパ層と、を備えてなり、前記ストッパ層はAlX2Ga1ーX2N:X2=0.1〜0.5からなり、かつ厚さが10〜50nmであり、前記p伝導型のクラッド層はAlY2Ga1ーY2N:Y2=0〜0.15からなり、かつその厚さが100〜1000nmである、ことを特徴とするGaN系発光素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (6件)

ミニバンドを有する半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-052135 出願人：シャープ株式会社
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-067477 出願人：ソニー株式会社
特開昭64-007587

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