特許

J-GLOBAL ID：200903004096870311

メモリアクセス制御装置

発明者： 松下 敏
出願人/特許権者： 川崎マイクロエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 落合 憲一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-074036
公開番号（公開出願番号）：特開2007-249738
出願日： 2006年03月17日
公開日（公表日）： 2007年09月27日
要約：

【課題】動作電圧が変化してもメモリデバイスやメモリデバイスを制御するメモリコントローラ間のデータの取り込みを最適なタイミングで行うよう制御するメモリアクセス制御装置を提供する。【解決手段】メモリアクセス制御装置は、メモリデバイスと、メモリコントローラとを備え、メモリコントローラは、動作電圧を変化させながら書き込み読出し動作が可能なライトストローブ信号とリードストローブ信号との遅延値の範囲をサーチするとともに、これら遅延値の範囲内から動作保証電圧範囲内において書き込み及び読み出し動作が可能なライトストローブ信号とリードストローブ信号の遅延値を設定する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

少なくとも1つのメモリデバイスと、 該メモリデバイスへのデータの書き込みを行うライトストローブ信号の遅延値及び前記メモリデバイスからのデータの読み出しを行うリードストローブ信号の遅延値を調整するメモリコントローラとを備え、 前記メモリコントローラは、動作電圧を少なくとも動作保証電圧範囲内で変化させながら、書き込み及び読み出し動作が可能な前記ライトストローブ信号及びリードストローブ信号の遅延値の範囲をサーチするとともに、前記遅延値の範囲内から動作保証電圧範囲内において書き込み及び読み出し動作が可能なライトストローブ信号とリードストローブ信号の遅延値を設定することを特徴とするメモリアクセス制御装置。

IPC (2件)：

G06F 12/00 ,  G06F 1/26

FI (3件)：

G06F12/00 564D ,  G06F12/00 597D ,  G06F1/00 330D

Fターム (4件)：

5B011DB02 ,  5B011DC02 ,  5B011EA06 ,  5B060CC01

引用特許：

出願人引用 (2件)

• メモリ制御装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-290163   出願人：株式会社リコー
• メモリー制御装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-297133   出願人：松下電器産業株式会社