特許
J-GLOBAL ID：200903004119064008

半導体装置の製造方法

発明者：
中島 高士

中島 高士 について


出願人/特許権者：
株式会社三井ハイテック

株式会社三井ハイテック について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-044366
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233669
出願日： 1998年02月10日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：
【要約】【課題】 外部接続端子を小ピッチで形成し、且つマザ-ボ-ドへの表面実装が短絡することなく行え、また半導体チップとマザ-ボ-ドの熱膨張係数差に基づく熱応力を吸収する能力がすぐれた外部接続端子を設けた半導体装置を得る。【解決手段】 半導体チップの下面側に外部接続端子を絶縁層及び配線パタ-ンを介在して設けた半導体装置の製造方法において、半導体チップ1の下面側に第1絶縁層3をバンプ2を露出して設け、該下面に配線パタ-ン4、第2絶縁層5を順次形成するとともに、外部接続端子形成予定箇所6の前記第2絶縁層5を除去し、ポリイミド、アクリル等の感光性樹脂からなる第3絶縁層7を第2絶縁層5に重ねて設け、該第3絶縁層7に外部接続端子形成パタ-ンを焼付け現像して外部接続突起8を形成し、該突起8にめっき9及び半田めっき10を施して外部接続端子を形成した半導体装置を製造する。
請求項（抜粋）：
半導体チップの下面側に外部接続端子を絶縁層及び配線パタ-ンを介在して設けた半導体装置の製造方法において、半導体チップの下面に第1絶縁層をバンプを露出して設け、該第1絶縁層の下面に配線パタ-ンを形成し、前記配線パタ-ンの下面に第2絶縁層を設けるとともに外部接続端子形成予定箇所の第2絶縁層を除去し、前記第2絶縁層より厚いポリイミド、アクリル等の感光性樹脂からなる第3絶縁層を第2絶縁層に重ねて設け、前記第3絶縁層に外部接続端子形成パタ-ンを焼付け現像して外部接続突起を形成し、該外部接続突起にめっきを施すとともに半田めっきを施して外部接続端子を形成する半導体装置の製造方法。
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM