特許

J-GLOBAL ID：200903004145915105

半導体単結晶の製造装置および製造方法

発明者： 肥後 信司
出願人/特許権者： コマツ電子金属株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-342609
公開番号（公開出願番号）：特開平7-172981
出願日： 1993年12月14日
公開日（公表日）： 1995年07月11日
要約：

【要約】【目的】 CZ法を用いて大口径、大重量の単結晶を引き上げる際に、ネック部の破断を防止し、安全かつ効率的に単結晶を引き上げることができるようにする。【構成】 引き上げシャフト1の周囲に環状の配管6と、放射状に配設された複数個の空圧シリンダ7とを配設し、前記配管6と各シリンダ7とをベローズ8とバルブ9とを介して接続する。各シリンダ7のピストンロッドに、支持部材11の先端を支点とする把持アーム12の上端を軸着する。ネック部17の温度が850°C〜600°Cになったとき昇降装置に釣支された単結晶把持装置を下降させ、配管5から空圧シリンダ7に不活性ガスを供給し、把持アーム12を動かして単結晶18を把持する。把持部材13が単結晶18に近接したら空圧シリンダ7の作動速度を下げ、単結晶18に衝撃を与えないように制御する。単結晶18は把持したまま引き上げる。

請求項（抜粋）：

単結晶の直胴部を把持する把持装置と、前記把持装置を引き上げシャフトに沿って上下に駆動する昇降装置とを備えたことを特徴とする半導体単結晶の製造装置。

IPC (3件)：

C30B 15/30 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/208

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 単結晶引上装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-134217   出願人：三菱マテリアル株式会社
• 単結晶引上装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-093410   出願人：三菱マテリアル株式会社
• 特開平4-321583