特許
J-GLOBAL ID：200903004154802852

ポリマー基材のメッキ膜の形成方法及びポリマー基材

発明者：
井上 和子

井上 和子 について

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島崎 勝輔

島崎 勝輔 について

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遊佐 敦

遊佐 敦 について


出願人/特許権者：
日立マクセル株式会社

日立マクセル株式会社 について


代理人 (1件)： 川北 喜十郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-117937
公開番号（公開出願番号）：特開2007-291422
出願日： 2006年04月21日
公開日（公表日）： 2007年11月08日
要約：
【課題】 ポリマー基材上に良質なメッキ膜を所望のパターンで容易に形成することができ、且つ、微細で高精度なメッキ膜パターンを形成させることが可能なメッキ膜の形成方法を提供する。【解決手段】 ポリマー基材1表面の所定領域に金属錯体2を付加することと、ポリマー基材1の表面に超臨界流体4を接触させて、金属錯体2をポリマー基材1に浸透させることと、金属錯体2が浸透したポリマー基材1の表面に、上記所定パターンに対応する領域が開口部5aとなるマスク層5を形成することと、該開口部5aにメッキ膜6,7を形成することと、マスク層5を除去することとを含むメッキ膜の形成方法により上記課題を解決する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
超臨界流体を用いてポリマー基材の表面に所定パターンのメッキ膜を形成する方法であって、 上記ポリマー基材表面に金属錯体を付加することと、 上記ポリマー基材の表面に上記超臨界流体を接触させて、上記金属錯体を上記ポリマー基材に浸透させることと、 上記金属錯体が浸透した上記ポリマー基材表面の上記所定パターンに対応する領域を含む領域にメッキ膜を形成することと、 メッキ膜を上記所定パターンにパターニングするためのマスク層を形成することとを含むメッキ膜の形成方法。
IPC (2件)：
C23C 18/28 ,  C23C 18/16
FI (2件)：
C23C18/28 ,  C23C18/16 A
Fターム (17件)：
4K022AA15 ,  4K022AA16 ,  4K022AA19 ,  4K022AA20 ,  4K022AA23 ,  4K022AA42 ,  4K022BA01 ,  4K022BA03 ,  4K022BA08 ,  4K022BA14 ,  4K022CA04 ,  4K022CA08 ,  4K022CA13 ,  4K022CA22 ,  4K022CA29 ,  4K022DA01 ,  4K022EA02
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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