特許
J-GLOBAL ID:200903035874571834
無電解めっき方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
岡本 啓三
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-117828
公開番号(公開出願番号):特開2004-323885
出願日: 2003年04月23日
公開日(公表日): 2004年11月18日
要約:
【課題】狭小ピッチの導電パターン上に無電解めっきにより金属膜を歩留りよく形成できる無電解めっき方法を提供する。【解決手段】絶縁体10とその上に形成された導電パターン12とを備えた基板15を用意する工程と、絶縁体10及び導電パターン12上に無電解めっきの触媒となる触媒金属14を付着させる工程と、導電パターン12間のスペース部Sの触媒金属14上に、保護膜16又は触媒金属を酸化させる酸化剤を選択的に形成する工程と、無電解めっきにより、導電パターン12上に選択的に金属層18を形成する工程とを含む。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
絶縁体と該絶縁体上に形成された導電パターンとを備えた基板を用意する工程と、
前記絶縁体及び導電パターン上に無電解めっきの触媒となる触媒金属を付着させる工程と、
前記導電パターン間のスペース部の前記触媒金属上に、保護膜又は該触媒金属を酸化させる酸化剤を選択的に形成する工程と、
前記無電解めっきにより、前記導電パターン上に選択的に金属層を形成する工程とを有することを特徴とする無電解めっき方法。
IPC (4件):
C23C18/30
, H05K3/18
, H05K3/24
, H05K3/28
FI (4件):
C23C18/30
, H05K3/18 B
, H05K3/24 A
, H05K3/28 B
Fターム (23件):
4K022BA08
, 4K022BA14
, 4K022CA06
, 4K022CA25
, 4K022DA01
, 5E314AA27
, 5E314AA36
, 5E314BB06
, 5E314BB13
, 5E314CC03
, 5E314EE01
, 5E314GG17
, 5E343AA18
, 5E343BB23
, 5E343BB24
, 5E343BB44
, 5E343CC73
, 5E343DD33
, 5E343DD36
, 5E343ER02
, 5E343ER14
, 5E343FF05
, 5E343GG08
引用特許:
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