特許

J-GLOBAL ID：200903004156697126

半導体レーザ素子、半導体レーザ素子の製造方法、光ディスク装置および光伝送システム

発明者： 岸本 克彦 ,  藤城 芳江
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (2件)： 山崎 宏 ,  前田 厚司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-336085
公開番号（公開出願番号）：特開2005-268753
出願日： 2004年11月19日
公開日（公表日）： 2005年09月29日
要約：

【課題】低閾値電流発振と高効率動作可能で、かつ、低コストで製造できる低消費電力の半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】第2導電型の半導体層群(p-AlGaAs第1上クラッド層108,p-AlGaAs第2上クラッド層109,p-GaAsエッチングストップ層110,p-AlGaAs第3上クラッド層111,p-GaAsコンタクト層112およびp+-GaAsコンタクト層113)のリッジ部130側の表面に接する多層構造のp側電極114を形成する。上記p側電極114は、第2導電型の半導体層群の表面と接する側から順に形成された1つまたは複数の高屈折率層と低屈折率層を有する。上記高屈折率層は、発振レーザ光の波長帯における屈折率が2.5以上でかつ合計の厚みが75nm以下であり、低屈折率層は、発振レーザ光の波長帯における屈折率が1.0以下である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1導電型の基板上に、少なくとも活性層と、リッジ部が形成された第2導電型の半導体層群とを有するリッジ導波型半導体レーザ素子であって、 上記第2導電型の半導体層群上に形成され、上記第2導電型の半導体層群のリッジ部の側面、または、上記リッジ部を除く上記第2導電型の半導体層群の領域の上記リッジ部近傍の表面の少なくとも一方に接する上部電極を備え、 上記上部電極は、上記第2導電型の半導体層群の表面に接する側から順に形成された高屈折率層と低屈折率層とを有し、上記高屈折率層の発振レーザ光の波長帯における屈折率が2.5以上でかつ厚みが75nm以下であり、上記低屈折率層の上記屈折率が1.0以下であることを特徴とする半導体レーザ素子。

IPC (1件)：

H01S5/22

FI (1件)：

H01S5/22

Fターム (12件)：

5F173AA08 ,  5F173AF04 ,  5F173AG05 ,  5F173AG12 ,  5F173AH13 ,  5F173AK08 ,  5F173AK20 ,  5F173AP05 ,  5F173AP32 ,  5F173AP75 ,  5F173AR26 ,  5F173AR94

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特開平4-111375号公報(第3頁、第1図)
  

審査官引用 (3件)

• 特開平4-111375
  
• 半導体レーザ素子及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-187760   出願人：ソニー株式会社
• 光半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-272333   出願人：株式会社東芝