半導体レーザ素子及びその作製方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-187760
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015851
出願日： 1999年07月01日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】【課題】電流狭窄効果、電流閉じ込め効果、光閉じ込め効果等を有し、しかもサージ耐圧が高く、取扱い易い半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】本半導体レーザ素子50は、n型基板51上に、順次、エピタキシャル成長させた、n型バッファ層52、n型クラッド層53、活性層54、p型クラッド層55、p型中間層56、及びp型sキャップ層57の積層構造を備える。p型クラッド層の上部、p型中間層及びp型キャップ層は、ストライプ部58として形成され、電流注入領域となっている。p側電極59として、p型クラッド層55上からp型キャップ層57上を延在し、次いでp型クラッド層55上に達するp型キャップ層57を跨がった形状のTi/Pt/Auの多層金属膜が形成されている。p側電極59が、オーミック接触している第1の電極部59aと、ショットキー接触している第2の電極部59bとから構成されている。

請求項（抜粋）：

化合物半導体の積層構造上に設けられた、金属膜からなる電極が、積層構造の最上層とオーミック接触する第1の電極部と、積層構造のキャリア濃度の低い層とショットキー接触する第2の電極部とから構成されていることを特徴とする半導体レーザ素子。

IPC (2件)：

H01S 5/042 , H01S 5/22

FI (2件)：

H01S 3/18 624 , H01S 3/18 662

Fターム (7件)：

5F073AA03 , 5F073AA61 , 5F073AA89 , 5F073CA14 , 5F073CB10 , 5F073CB22 , 5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (14件)

半導体発光素子とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-328701 出願人：日本電気株式会社
窒化物半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-067632 出願人：日亜化学工業株式会社
特開平3-156988

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