特許
J-GLOBAL ID：200903004156894843
反射防止膜材料組成物及びそれを利用したレジストパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萩野 平 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-046001
公開番号（公開出願番号）：特開平10-239837
出願日： 1997年02月28日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 露光光に対する反射光防止効果が高く、しかもフォトレジスト層とのインターミキシングが起こらず、フォトレジストに比べて大きなドライエッチング速度を有し、更に解像力及び膜厚依存性に優れたレジストパターンが得られるフォトレジスト反射防止膜材料組成物及びフォトレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】 特定の構造の基を有する高分子吸光剤、例えば下記(1)の化合物を含有する反射防止膜材料組成物。
請求項（抜粋）：
下記一般式(I)〜(VII) で示される基のうち少なくとも1つの基を側鎖に有する高分子吸光剤を含有することを特徴とする反射防止膜材料組成物。【化1】【化2】【化3】【化4】【化5】【化6】【化7】(式中、Wは2価の連結基を表す。X1 〜X3 は同じでも異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、又は-(X4)p -Rを表す。ここで、Rは置換基を有していてもよい、炭素数1〜20個のアルキル基、炭素数6〜20個のアリール基又は炭素数7〜20個のアラルキル基を表し、X4 は単結合、-CO2 -基、-CONH-基、-O-基、-CO-基、炭素数2〜4個のアルキレン基又は-SO2 -基を表し、pは1〜10の整数を表す。Z1 、Z2 は同じでも異なっていてもよく、電子供与性基を表す。mは0〜2、nは0〜3の整数を表す。mが2の場合、n、mが2または3の場合、Z1 、Z2 はそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。A1 は置換基を有していてもよい2価の炭素数5〜14の芳香環基またはヘテロ芳香環基を表す。A2 は置換基を有していてもよい炭素数5〜14の芳香環基またはヘテロ芳香環基を表す。)
IPC (5件)：
G03F 7/004 506
, C09D 5/00
, C09D201/02
, G03F 7/11 503
, H01L 21/027
G03F 7/004 506
, C09D 5/00 M
, C09D201/02
, G03F 7/11 503
, H01L 21/30 574
