トランジスタ素子及びその製造方法並びに発光素子及びディスプレイ

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：吉村俊一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-078237
公開番号（公開出願番号）：特開2007-258308
出願日： 2006年03月22日
公開日（公表日）： 2007年10月04日
要約：

【課題】エミッタ電極-コレクタ電極間において、低電圧で大電流変調を可能とするトランジスタ素子を提供する。また、そうしたトランジスタ素子の製造方法、また、そのトランジスタ素子有する発光素子及びディスプレイを提供する。【解決手段】エミッタ電極3とコレクタ電極2との間に、半導体層5(5A,5B)とシート状のベース電極4が設けられているトランジスタ素子により、上記課題を解決する。半導体層5は、エミッタ電極3とベース電極4との間及びコレクタ電極2とベース電極4との間に設けられて、それぞれ第2半導体層5B及び第1半導体層5Aを構成し、さらに、ベース電極の厚さが80nm以下であることが好ましい。また、少なくともエミッタ電極とベース電極との間又はコレクタ電極とベース電極との間には、暗電流抑制層が設けられていてもよい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

エミッタ電極とコレクタ電極との間に、半導体層とシート状のベース電極が設けられていることを特徴とするトランジスタ素子。

IPC (4件)：

H01L 29/68 , H01L 51/05 , H01L 51/50 , H05B 33/26

FI (4件)：

H01L29/68 , H01L29/28 100A , H05B33/14 A , H05B33/26 Z

Fターム (18件)：

3K107AA02 , 3K107BB01 , 3K107CC45 , 5F003AZ03 , 5F003BB03 , 5F003BB90 , 5F003BF07 , 5F003BG07 , 5F003BH05 , 5F003BH08 , 5F003BH18 , 5F003BH99 , 5F003BJ93 , 5F003BM00 , 5F003BM10 , 5F003BN06 , 5F003BP41 , 5F003BP46

引用特許：

審査官引用 (8件)

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公報種別：公開公報出願番号：特願平9-019158 出願人：三洋電機株式会社
特開昭63-009149
特開昭62-166564

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